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ST1005SRG データシート(PDF) 3 Page - Stanson Technology |
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ST1005SRG データシート(HTML) 3 Page - Stanson Technology |
3 / 5 page ST1005SRG P Channel Enhancement Mode MOSFET -0.8A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com ST1005SRG 2013. Rev.1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25℃ Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Static Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=-10uA -100 V Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=-250uA -1.0 -2.5 V Gate Leakage Current IGSS VDS=0V,VGS=±20V ± 100 nA Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=-80V,VGS=0V -1 uA VDS=-80V,VGS=0V TJ=55℃ -5 Drain-source On-Resistance RDS(on) VGS=-10V,ID=-0.8A VGS=-4.5V,ID=-0.4A 0.640 0.690 0.650 0.700 Ω Forward Transconductance gfs VDS=-5,ID=-0.8 2.0 S Diode Forward Voltage VSD IS=-1.0A,VGS=0V -0.8 V Dynamic Total Gate Charge Qg VDS=-50V VGS=-10V ID≡-0.5A 16 nC Gate-Source Charge Qgs 9 Gate-Drain Charge Qgd 1.23 Input Capacitance Ciss VDS=-15V VGS=0V F=1MHz 600 pF Output Capacitance Coss 550 Reverse Transfer Capacitance Crss 20 Turn-On Time td(on) tr VDD=-50V ID=-0.5A VGS=-10V RG=2.5Ω 2 nS 19 Turn-Off Time td(off) tf 18.5 20 |
同様の部品番号 - ST1005SRG |
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同様の説明 - ST1005SRG |
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