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2SJ496 データシート(PDF) 1 Page - Hitachi Semiconductor |
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2SJ496 データシート(HTML) 1 Page - Hitachi Semiconductor |
1 / 10 page 2SJ496 Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-482 1st. Edition Features • Low on-resistance R DS(on) = 0.12Ω typ. (at VGS = –10 V, ID = –2.5 A) • 4V gate drive devices. • Large current capacitance I D = –5 A Outline TO-92 Mod 1. Source 2. Drain 3. Gate 3 2 1 D G S |
同様の部品番号 - 2SJ496 |
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同様の説明 - 2SJ496 |
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