データシートサーチシステム |
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STC6614 データシート(PDF) 2 Page - Stanson Technology |
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STC6614 データシート(HTML) 2 Page - Stanson Technology |
2 / 8 page STC6614 N&P Pair Enhancement Mode MOSFET 7.0A / -5.0A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com Copyright © 2007, Stanson Corp. STC6614 2010. V1 ABSOULTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25℃ Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Typical N P Unit Drain-Source Voltage VDSS 60 -60 V Gate-Source Voltage VGSS ±20 ±20 V Continuous Drain Current (TJ=150℃) TA=25℃ TA=70℃ ID 7.0 5.2 -5.0 -4.0 A Pulsed Drain Current IDM 40 -30 A Continuous Source Current (Diode Conduction) IS 3 -3 A Power Dissipation TA=25℃ TA=70℃ PD 2.3 1.3 2.3 1.3 W Operation Junction Temperature TJ 150 ℃ Storgae Temperature Range TSTG -55/150 ℃ Thermal Resistance-Junction to Ambient T≦10Sec Sready State RθJA 62.5 110 62.5 110 ℃/W |
同様の部品番号 - STC6614 |
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同様の説明 - STC6614 |
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