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2SC3658_2014 データシート(PDF) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
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2SC3658_2014 データシート(HTML) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
2 / 3 page JMnic Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC3658 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=5A; IB=1.25A 2.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=5A; IB=1.25A 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=1200V; IE=0 0.5 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=6V; IC=0 500 mA hFE DC current gain IC=1A ; VCE=5V 8 VECF Diode forward voltage IF=6A 2.0 V tf Fall time IC=5A ; IB1=1A;IB2=-2.5A;LB=0 0.5 μs |
同様の部品番号 - 2SC3658_2014 |
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同様の説明 - 2SC3658_2014 |
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