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2SC4149_2014 データシート(PDF) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
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2SC4149_2014 データシート(HTML) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
2 / 3 page JMnic Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC4149 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=0.1A ;IB=0 40 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=5A; IB=0.25A 0.3 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=5A; IB=0.25A 1.2 V ICBO Collector cut-off current ICEO Collector cut-off current At rated volatge 0.1 mA IEBO Emitter cut-off current At rated volatge 0.1 mA hFE DC current gain IC=5A ; VCE=2V 70 fT Transition frequency IC=1A ; VCE=10V 50 MHz Switching times ton Turn-on time 0.3 μs ts Storage time 1.5 μs tf Fall time IC=5A;IB1=0.5A IB2=0.5A ,RL=5Ω VBB2=4V 0.5 μs |
同様の部品番号 - 2SC4149_2014 |
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同様の説明 - 2SC4149_2014 |
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