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BAP64-06_2015 データシート(PDF) 3 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
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BAP64-06_2015 データシート(HTML) 3 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
3 / 8 page 2001 Feb 27 3 Philips Semiconductors Product specification Silicon PIN diode BAP64-06 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tj = 25 °C; unless otherwise specified. Note 1. Guaranteed on AQL basis: inspection level S4, AQL 1.0. THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT Per diode VF forward voltage IF = 50 mA 0.95 1.1 V IR reverse current VR = 175 V − 10 µA VR =20V − 1 µA Cd diode capacitance f = 1 MHz VR = 0 0.52 − pF VR = 1 V 0.37 − pF VR = 20 V 0.23 0.35 pF rD diode forward resistance f = 100 MHz; note 1 IF = 0.5 mA 20 40 Ω IF =1mA 10 20 Ω IF =10mA 2 3.8 Ω IF = 100 mA 0.7 1.35 Ω τ L charge carrier life time when switched from IF = 10 mA to IR = 6 mA; RL = 100 Ω; measured at IR =3mA 1.55 −µs LS series inductance 1.4 − nH SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT Rth j-s thermal resistance from junction to soldering point 220 K/W |
同様の部品番号 - BAP64-06_2015 |
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同様の説明 - BAP64-06_2015 |
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