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BF904_2015 データシート(PDF) 3 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
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BF904_2015 データシート(HTML) 3 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
3 / 14 page NXP Semiconductors Product specification N-channel dual gate MOS-FETs BF904; BF904R LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Note 1. Device mounted on a printed-circuit board. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VDS drain-source voltage − 7V ID drain current − 30 mA IG1 gate 1 current −±10 mA IG2 gate 2 current −±10 mA Ptot total power dissipation see Fig.3 BF904 Tamb ≤ 50 °C; note 1 − 200 mW BF904R Tamb ≤ 40 °C; note 1 − 200 mW Tstg storage temperature −65 +150 °C Tj operating junction temperature − 150 °C Fig.3 Power derating curves. handbook, halfpage 0 50 100 150 200 250 0 50 100 150 200 P tot (mW) MRA770 Tamb ( C) o BF904 BF904R Rev. 06 - 13 November 2007 3 of 14 |
同様の部品番号 - BF904_2015 |
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同様の説明 - BF904_2015 |
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