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SI2314EDS データシート(PDF) 1 Page - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd |
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SI2314EDS データシート(HTML) 1 Page - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd |
1 / 5 page SMD Type www.kexin.com.cn 1 MOSFET N-Channel Enhancement MOSFET SI2314EDS (KI2314EDS) ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID = 4.9 A (VGS = 4.5V) ● RDS(ON) < 33mΩ (VGS = 4.5V) ● RDS(ON) < 40mΩ (VGS = 2.5V) ● RDS(ON) < 51mΩ (VGS = 1.8V) 0.4 +0.1 -0.1 2.9 +0.1 -0.1 0.95 +0.1 -0.1 1.9 +0.1 -0.1 1.Gate 2.Source 3.Drain 1 2 3 Unit: mm SOT-23 0.1 +0.05 -0.01 ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ G S D 2 3 1 D S G 3 k Symbol 5 sec Steady State Unit VDS VGS Ta=25℃ 4.9 3.77 Ta=70℃ 3.9 3.0 IDM Avalanche Current *2 IAS Single Avalanche Energy EAS mJ Ta=25℃ 1.25 0.75 Ta=70℃ 0.8 0.48 RthJF TJ Tstg Power Dissipation *1 Thermal Resistance.Junction- to-Ambient *1 t≤5 sec Steady State Thermal Resistance.Junction-to-Foot V Pulsed Drain Current *2 A 20 ±12 15 15 L=0.1mH 11.25 Parameter Continuous Drain Current *1 ID Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage ℃ /W ℃ Junction Temperature Storage Temperature Range 50 150 -55 to 150 W RthJA 100 166 PD *1 Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board. *2 Pulse width limited by maximum junction temperature |
同様の部品番号 - SI2314EDS |
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同様の説明 - SI2314EDS |
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