IRFBC40A datasheet(5/8 Pages) IRF

部品番号	IRFBC40A

部品情報	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A)

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メーカー	IRF [International Rectifier]

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IRFBC40A

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5

Fig 10a. Switching Time Test Circuit

Fig 10b. Switching Time Waveforms

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

Fig 9. Maximum Drain Current Vs.

Case Temperature

VDS

Pulse Width

≤ 1 µs

Duty Factor

≤ 0.1 %

RD

VGS

RG

D.U.T.

10V

+

-VDD

VDS

90%

10%

VGS

td(on)

tr

td(off) tf

25

50

75

100

125

150

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

T , Case Temperature ( C)

°

C

0.01

0.1

1

10

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

Notes:

1. Duty factor D = t / t

2. Peak T = P

x Z

+ T

1

2

J

DM

thJC

C

P

t

DM

1

2

t , Rectangular Pulse Duration (sec)

1

0.01

0.02

0.05

0.10

0.20

D = 0.50

SINGLE PULSE

(THERMAL RESPONSE)

同様の部品番号 - IRFBC40A

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	IRFBC40A	151Kb / 8P	Power MOSFET S-81262-Rev. B, 07-Jul-08
Inchange Semiconductor ...	IRFBC40A	328Kb / 2P	iscN-Channel MOSFET Transistor
Vishay Siliconix	IRFBC40A	284Kb / 9P	Power MOSFET 02-Oct-12
International Rectifier	IRFBC40APBF	189Kb / 8P	HEXFET Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRFBC40APBF	284Kb / 9P	Power MOSFET 02-Oct-12

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同様の説明 - IRFBC40A

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
International Rectifier	IRFBC40AS	111Kb / 9P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A)
	IRFBC40S	350Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.2A)
	IRFBC40PBF	3Mb / 7P	HEXFET POWER MOSFET (VDSS=600V , RDS(on)=1.2Ohm , ID=6.2A)
	IRFIBC40G	170Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A)
	IRFIBC40GLC	229Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A)
	IRFPC40	168Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.8A)
	IRF9510S	176Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A)
	IRF9510	171Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A)
	IRFR9110	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-3.1A)
	IRFD9110	173Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-0.70A)

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