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2SC3637 データシート(PDF) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
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2SC3637 データシート(HTML) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. |
2 / 4 page JMnic Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC3637 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=100mA ; IB=0 500 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=5A ;IB=1A 2.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=5A ;IB=1A 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=500V; IE=0 10 μA ICES Collector cut-off current VCE=900V; RBE=0 0.5 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 1.0 mA hFE DC current gain IC=1A ; VCE=5V 8 Switching times ts Storage time 3.0 μs tf Fall time VCC=200V;IC=5A; IB1=1A; IB2=-2A 0.1 0.2 μs |
同様の部品番号 - 2SC3637_15 |
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同様の説明 - 2SC3637_15 |
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