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SIA533EDJ データシート(PDF) 5 Page - Vishay Telefunken |
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SIA533EDJ データシート(HTML) 5 Page - Vishay Telefunken |
5 / 14 page Document Number: 65706 S10-0214-Rev. A, 25-Jan-10 www.vishay.com 5 Vishay Siliconix SiA533EDJ New Product N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted Gate Charge Source-Drain Diode Forward Voltage Threshold Voltage 0 2 4 6 8 02 4 6 8 10 ID =5.9 A Qg - Total Gate Charge (nC) VDS =9.6 V VDS =6 V VDS =3 V 0.1 1 10 100 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 TJ = 150 °C VSD -Source-to-Drain Voltage (V) TJ = 25 °C 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID =250 µA TJ - Temperature (°C) On-Resistance vs. Junction Temperature On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage Single Pulse Power (Junction-to-Ambient) 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 TJ - Junction Temperature (°C) VGS =1.5 V,ID =1.5 A VGS =1.8V,2.5 V, 4.5 V, ID =4.6 A 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0 1234 5 ID - Drain Current (A) I D = 4.6 A, 125 °C I D = 1.5 A, 125 °C I D = 4.6 A, 25 °C I D = 1.5 A, 25 °C 1000 100 1 0.001 0.01 0.1 10 Pulse (s) 20 10 5 15 0 |
同様の部品番号 - SIA533EDJ |
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同様の説明 - SIA533EDJ |
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