STB80N4F6AG datasheet(4/15 Pages) STMICROELECTRONICS

部品番号	STB80N4F6AG

部品情報	High avalanche ruggedness

Download	15 Pages

Scroll/Zoom	100%

メーカー	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

ホームページ	http://www.st.com

Logo

4 / 15 page

Electrical characteristics

STB80N4F6AG

4/15

DocID027978 Rev 2

2

Electrical characteristics

(TC = 25 °C unless otherwise specified).

Table 4: On/Off States

Symbol

Parameter

Test conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

V(BR)DSS

Drain-source breakdown voltage

VGS = 0 V, ID = 250 µA

40

V

IDSS

Zero gate voltage drain current

(VGS= 0V)

VDS = 40 V

1

µA

VDS = 40 V

Tj = 125 °C

100

µA

IGSS

Gate-body leakage current

(VDS= 0 V)

VGS = ±20 V

±100

nA

VGS(th)

Gate threshold voltage

VDS = VGS, ID = 250 µA

2

4

V

RDS(on)

Static drain-source on-resistance

VGS = 10 V, ID= 40 A

5.5

6

mΩ

Table 5: Dynamic

Symbol

Parameter

Test conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

Ciss

Input capacitance

VDS = 25 V, f = 1 MHz,

VGS = 0 V

-

2150

-

pF

Coss

Output capacitance

-

335

-

pF

Crss

Reverse transfer

capacitance

-

160

-

pF

Qg

Total gate charge

VDD = 20 V, ID = 80 A,

VGS = 10 V (see Figure 14:

"Test circuit for gate charge

behavior" )

-

36

-

nC

Qgs

Gate-source charge

-

11

-

nC

Qgd

Gate-drain charge

-

9

-

nC

Table 6: Switching times

Symbol

Parameter

Test conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

td(on)

Turn-on delay time

VDD = 20 V, ID = 40 A RG = 4.7

Ω,

VGS = 10 V(see Figure 15: "Test

circuit for inductive load switching

and diode recovery times" )

-

10.5

-

ns

tr

Rise time

-

7.6

-

ns

td(off)

Turn-off-delay time

-

46.1

-

ns

tf

Fall time

-

11.9

-

ns

同様の部品番号 - STB80N4F6AG

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
STMicroelectronics	STB80N20M5	935Kb / 14P	N-channel 200 V, 0.019 ohm, 61 A, TO-220, D2PAK
	STB80NE03L-06	295Kb / 9P	N-CHANNEL 30V - 0.005ohm - 80A D2PAK / I2PAK STripFET??POWER MOSFET
	STB80NE03L-06	405Kb / 13P	N-channel 30V - 0.005ohm - 85A - D2PAK STripFET TM Power MOSFET
	STB80NE03L-06-1	295Kb / 9P	N-CHANNEL 30V - 0.005ohm - 80A D2PAK / I2PAK STripFET??POWER MOSFET
	STB80NE03L-06	405Kb / 13P	N-channel 30V - 0.005ohm - 85A - D2PAK STripFET TM Power MOSFET

More results

同様の説明 - STB80N4F6AG

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
STMicroelectronics	STL86N3LLH6AG	1,009Kb / 16P	High avalanche ruggedness February 2015 Rev 3
	STL220N6F7	744Kb / 13P	High avalanche ruggedness
	STL8N6F7	893Kb / 12P	High avalanche ruggedness August 2015 Rev 1
	STS30N3LLH6	776Kb / 13P	High avalanche ruggedness July 2009 Rev 2
	STH170N8F7-2	823Kb / 15P	High avalanche ruggedness
	STS7P4LLF6	396Kb / 13P	High avalanche ruggedness
	STL4P3LLH6	766Kb / 13P	High avalanche ruggedness December 2014 Rev 2
	STL30P3LLH6	1Mb / 15P	High avalanche ruggedness January 2014 Rev 3
	STL110NS3LLH7	701Kb / 14P	High avalanche ruggedness April 2015 Rev 4
	STL140N4F7AG	927Kb / 14P	High avalanche ruggedness February 2017 Rev 2
	STH290N4F6-2AG	486Kb / 19P	High avalanche ruggedness

More results

STB80N4F6AG データシート(PDF) 4 Page - STMicroelectronics

STB80N4F6AG データシート(HTML) 4 Page - STMicroelectronics

同様の部品番号 - STB80N4F6AG

同様の説明 - STB80N4F6AG

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

データシートダウンロード

リンク URL

STB80N4F6AG データシート(PDF) 4 Page - STMicroelectronics

STB80N4F6AG データシート(HTML) 4 Page - STMicroelectronics

同様の部品番号 - STB80N4F6AG

同様の説明 - STB80N4F6AG

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

データシート ダウンロード

リンク URL

データシートダウンロード