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SPI47N10L データシート(PDF) 6 Page - Infineon Technologies AG |
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SPI47N10L データシート(HTML) 6 Page - Infineon Technologies AG |
6 / 8 page 2001-08-24 Page 6 Preliminary data SPI47N10L SPP47N10L,SPB47N10L 9 Drain-source on-state resistance RDS(on) = f (Tj) parameter : ID = 33 A, VGS = 4.5 V -60 -20 20 60 100 140 °C 200 Tj 0 20 40 60 80 100 120 140 m 170 SPP47N10L typ 98% 10 Gate threshold voltage VGS(th) = f (Tj) parameter: VGS = VDS, ID = 2 mA -60 -20 20 60 100 140 °C 200 Tj 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 V 3 min typ max 11 Typ. capacitances C = f (VDS) parameter: VGS=0V, f=1 MHz 0 5 10 15 20 25 30 V 40 VDS 2 10 3 10 4 10 pF Ciss Coss Crss 12 Forward character. of reverse diode IF = f (VSD) parameter: Tj , tp = 80 µs 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 2.4 V 3 VSD 0 10 1 10 2 10 3 10 A SPP47N10L T j = 25 °C typ T j = 25 °C (98%) T j = 175 °C typ T j = 175 °C (98%) |
同様の部品番号 - SPI47N10L |
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同様の説明 - SPI47N10L |
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