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SPN03N60C3 データシート(PDF) 2 Page - Infineon Technologies AG |
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SPN03N60C3 データシート(HTML) 2 Page - Infineon Technologies AG |
2 / 12 page 2004-03-01 Page 2 SPN03N60C3 Rev. 2.0 Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain Source voltage slope VDS = 480 V, ID = 3.2 A, Tj = 125 °C dv/dt 50 V/ns Thermal Characteristics Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. Thermal resistance, junction - soldering point RthJS - 25 - K/W SMD version, device on PCB: @ min. footprint @ 6 cm2 cooling area 1) RthJA - - 110 - - 70 Electrical Characteristics, at Tj=25°C unless otherwise specified Parameter Symbol Conditions Values Unit min. typ. max. Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V, ID=0.25mA 600 - - V Drain-Source avalanche breakdown voltage V(BR)DS VGS=0V, ID=3.2A - 700 - Gate threshold voltage VGS(th) ID=135µΑ, VGS=VDS 2.1 3 3.9 Zero gate voltage drain current IDSS VDS=600V, VGS=0V, Tj=25°C, Tj=150°C - - 0.5 - 1 70 µA Gate-source leakage current IGSS VGS=30V, VDS=0V - - 100 nA Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=2A, Tj=25°C Tj=150°C - - 1.26 3.8 1.4 - Ω Gate input resistance RG f=1MHz, open Drain - 10 - |
同様の部品番号 - SPN03N60C3 |
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同様の説明 - SPN03N60C3 |
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