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SPA04N60C3 データシート(PDF) 7 Page - Infineon Technologies AG |
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SPA04N60C3 データシート(HTML) 7 Page - Infineon Technologies AG |
7 / 14 page 2003-10-02 Page 7 SPP04N60C3, SPB04N60C3 SPA04N60C3 Final data 9 Typ. drain-source on resistance RDS(on)=f(ID) parameter: Tj=150°C, VGS 0 1 2 3 4 5 6 7 A 9 ID 1 2 3 4 5 6 7 8 Ω 10 4V 4.5V 5V 5.5V 20V 8V 7V 6.5V 6V 10 Drain-source on-state resistance RDS(on) = f (Tj) parameter : ID = 2.8 A, VGS = 10 V -60 -20 20 60 100 °C 180 Tj 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 Ω 5.5 SPP04N60C3 typ 98% 11 Typ. transfer characteristics ID= f ( VGS ); VDS≥ 2 x ID x RDS(on)max parameter: tp = 10 µs 0 2 4 6 8 10 12 14 16 V 20 VGS 0 2 4 6 8 10 12 A 16 25°C 150°C 12 Typ. gate charge VGS = f (QGate) parameter: ID = 4.5 A pulsed 0 4 8 12 16 20 24 nC 30 QGate 0 2 4 6 8 10 12 V 16 SPP04N60C3 0,8 VDS max DS max V 0,2 |
同様の部品番号 - SPA04N60C3 |
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同様の説明 - SPA04N60C3 |
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