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BF1101WR データシート(PDF) 9 Page - NXP Semiconductors |
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BF1101WR データシート(HTML) 9 Page - NXP Semiconductors |
9 / 15 page 1999 May 14 9 NXP Semiconductors Product specification N-channel dual-gate MOS-FETs BF1101; BF1101R; BF1101WR Table 1 Scattering parameters: VDS =5 V; VG2-S =4 V; ID =12mA; Tamb =25 C Table 2 Noise data: VDS =5V; VG2-S =4V; ID =12mA; Tamb =25 C f (MHz) S11 S21 S12 S22 MAGNITUDE (ratio) ANGLE (deg) MAGNITUDE (ratio) ANGLE (deg) MAGNITUDE (ratio) ANGLE (deg) MAGNITUDE (ratio) ANGLE (deg) 50 0.987 4.1 2.922 175.0 0.001 87.6 0.990 2.2 100 0.985 8.1 2.908 170.3 0.001 86.1 0.989 4.3 200 0.976 16.1 2.875 160.8 0.003 83.3 0.985 8.5 300 0.963 23.9 2.820 157.6 0.004 80.4 0.982 12.6 400 0.949 31.6 2.762 142.6 0.005 78.2 0.977 16.8 500 0.933 38.8 2.665 134.1 0.005 77.8 0.972 20.8 600 0.916 45.7 2.591 125.7 0.005 78.9 0.967 24.7 700 0.897 52.2 2.498 117.7 0.006 81.8 0.961 28.5 800 0.877 58.4 2.410 109.6 0.005 89.1 0.957 32.2 900 0.856 64.5 2.318 101.6 0.006 97.1 0.950 35.8 1000 0.832 70.3 2.214 94.2 0.006 110.4 0.946 39.6 f (MHz) Fmin (dB) opt Rn ( ) (ratio) (deg) 800 1.5 0.715 58.3 37.85 Fig.21 Cross-modulation test set-up. handbook, full pagewidth DUT C1 4.7 nF R1 10 k Ω MGS315 C4 4.7 nF L1 ≈2.2 μH C3 4.7 nF RL 50 Ω VGG VAGC VDS RGEN 50 Ω VI R2 50 Ω 4.7 nF C2 RG1 |
同様の部品番号 - BF1101WR |
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同様の説明 - BF1101WR |
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