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2N4908 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2N4908 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.cn 2 isc Silicon PNP Power Transistors 2N4908 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= -200mA ; IB= 0 -60 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -4A; IB= -0.4A -0.75 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= -4A; IB= -0.4A -1.5 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= -4A; VCE= -4V -1.5 V ICEO Collector Cutoff Current VCE= -60V; IB= 0 -1.0 mA ICBO Collector Cutoff Current VCB= -60V; IE= 0 -0.1 mA ICEX Collector Cutoff Current VCE= -60V; VBE(off)= -1.5V VCE= -60V; VBE(off)= -1.5V, TC=150℃ -0.1 -2.0 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC= 0 -1.0 mA hFE-1 DC Current Gain IC= -4A; VCE= -4V 20 80 hFE-2 DC Current Gain IC= -10A; VCE= -4V 5 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= -1A; VCE= -10V; ftest= 1.0MHz 4 MHz |
同様の部品番号 - 2N4908 |
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同様の説明 - 2N4908 |
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