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3N45 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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3N45 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel MOSFET Transistor 3N45 ·ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYPE MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID=1mA 450 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS; ID=1mA 2.0 4.0 V VSD Diode Forward On-voltage IS= 1.5A ;VGS= 0 1.4 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V; ID= 1.5A 3.0 Ω IGSS Gate-Body Leakage Current VGS= ±20V;VDS= 0 ±100 nA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=360V; VGS= 0 10 µA Ciss Input Capacitance VDS=25V; VGS=0V; fT=1MHz 750 pF Crss Reverse Transfer capacitance 100 Coss Output Capacitance 150 tr Rise Time VGS=10V; ID=1.5A; VDD=250V; RL=50Ω 60 ns td(on) Turn-on Delay Time 45 tf Fall Time 75 td(off) Turn-off Delay Time 135 · PDF pdfFactory Pro www.fineprint.cn |
同様の部品番号 - 3N45 |
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同様の説明 - 3N45 |
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