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IRF520FI データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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IRF520FI データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel Mosfet Transistor IRF520FI ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID= 0.25mA 100 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS; ID= 0.25mA 2 4 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V; ID= 5A 0.27 Ω IGSS Gate-Body Leakage Current VGS= ±20V;VDS= 0 ±100 nA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 100V; VGS=0 250 uA VSD Forward On-Voltage IS= 10A; VGS=0 1.6 V Ciss Input Capacitance VDS=25V,VGS=0V, F=1.0MHz 450 pF Coss Output Capacitance 120 pF Crss Reverse Transfer Capacitance 40 pF ·SWITCHING CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT Td(on) Turn-on Delay Time VDD=50V,ID=5A VGS=10V RGS=4.7Ω 15 ns Tr Rise Time 75 ns Td(off) Turn-off Delay Time 40 ns Tf Fall Time 30 ns PDF pdfFactory Pro www.fineprint.cn |
同様の部品番号 - IRF520FI |
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同様の説明 - IRF520FI |
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