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IRFP251 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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IRFP251 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP251 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID= 0.25mA 150 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS; ID= 0.25mA 2 4 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V; ID= 17A 0.085 Ω IGSS Gate-Body Leakage Current VGS= ±20V;VDS= 0 ±100 nA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 150V; VGS= 0 250 μA VSD Forward On-Voltage IS= 33A; VGS= 0 2.0 V · PDF pdfFactory Pro www.fineprint.cn |
同様の部品番号 - IRFP251 |
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同様の説明 - IRFP251 |
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