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FMM7G30US60N データシート(PDF) 6 Page - Fairchild Semiconductor |
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FMM7G30US60N データシート(HTML) 6 Page - Fairchild Semiconductor |
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6 / 9 page  ©2003 Fairchild Semiconductor Corporation FMM7G30US60N Rev. A 0 4 0 0 8 0 0 1 2 0 0 1 6 0 0 1 E - 3 0 . 0 1 0 . 1 1 1 0 1 0 0 1 0 0 0 25℃ T C = 125 ℃ V R, Reverse Voltage [V] 5 1015 2025 30 0.5 1 10 20 Common Cathode di/dt = 60A/us T C = 25℃ T C = 100 ℃ I rr T rr Forward Current, I F [A] 01 23 4 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Common Cathode V GE = 0V T C = 25℃ T C = 125 ℃ Forward Voltage, V F [V] 0 100 200 300 400 500 600 700 0.1 1 10 100 Single Nonrepetitive Pulse T J ≤ 125℃ V GE = 15V R G = 15 Ω Collector-Emitter Voltage, V CE [V] 0 2 0 4 0 6 0 8 0 1 0 0 03 69 1 2 1 5 3 0 0 V 2 0 0 V V C C = 1 0 0 V C o m m o n E m i t t e r R L = 1 0 Ω T C = 2 5 o C G a t e C h a r g e , Q g [ n C ] Fig 13. Gate Charge Characteristics Fig 14. RBSOA Characteristics Fig 15. Forward Characteristics Fig 16. Reverse Recovery Characteristics Fig 17. Rectifier( Converter ) Characteristics Fig 18. Rectifier( Converter ) Characteristics 0.1 1 10 100 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 25℃ TC =125℃ VF, Forward Voltage [V] |
同様の部品番号 - FMM7G30US60N |
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同様の説明 - FMM7G30US60N |
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