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2SD1899 データシート(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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1 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1899 DESCRIPTION · Low collector saturation voltage · 100% avalanche tested · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · High transition frequency applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current-Continuous 3 A PC Collector Power Dissipation 1.0 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ |
同様の部品番号 - 2SD1899 |
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同様の説明 - 2SD1899 |
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