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BD177 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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BD177 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistor BD177 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 50mA ; IB= 0 60 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 1A; IB= 0.1A 0.8 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= 1A; VCE= 2V 1.3 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 60V; IE= 0 100 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 1 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 150mA; VCE= 2V 40 250 hFE-2 DC Current Gain IC= 1A; VCE= 2V 15 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.25A; VCE= 10V 3 MHz hFE-1 Classifications 6 10 16 40-100 63-160 100-250 |
同様の部品番号 - BD177 |
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同様の説明 - BD177 |
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