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2SA1046 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SA1046 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SA1046 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -10mA; RBE= ∞ -100 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= -50μA; IE= 0 -100 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= -2mA ; IC= 0 -5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -100V ; IE= 0 -50 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -4V; IC= 0 -50 μ A hFE DC Current Gain IC= -3A ; VCE= -3V 3000 |
同様の部品番号 - 2SA1046 |
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同様の説明 - 2SA1046 |
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