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2SK3211S データシート(PDF) 2 Page - Hitachi Semiconductor |
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2SK3211S データシート(HTML) 2 Page - Hitachi Semiconductor |
2 / 10 page 2SK3211 2 Outline 1. Gate 2. Drain 3. Source 4. Drain 1 2 3 4 1 2 3 4 LDPAK G D S Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 °C) Item Symbol Ratings Unit Drain to source voltage V DSS 200 V Gate to source voltage V GSS ±20 V Drain current I D 25 A Drain peak current I D(pulse)* 1 100 A Body-drain diode reverse drain current I DR 25 A Avalanche current I AP * 3 25 A Avalanche energy E AR* 3 41 mJ Channel dissipation Pch * 2 100 W Channel temperature Tch 150 °C Storage temperature Tstg –55 to +150 °C Note: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1% 2. Value at Tc = 25 °C 3. Value at Tch = 25 °C, Rg ≥ 50 Ω |
同様の部品番号 - 2SK3211S |
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同様の説明 - 2SK3211S |
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