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1SS401_14 データシート(Datasheet) 1 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

部品番号. 1SS401_14
部品情報  Schottky Barrier Diode
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メーカー  BILIN [Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited]
ホームページ  http://www.galaxycn.com
Logo 

   
 1 page
background image
Production specification
Schottky Barrier Diode
1SS401
F014
www.gmicroelec.com
Rev.A
1
FEATURES
Small total capacitance.
Low reverse current.
Low forward voltage:VF=0.38V(typ).
APPLICATIONS
For general purpose applications.
SOT-323
ORDERING INFORMATION
Type No.
Marking
Package Code
1SS401
D9
SOT-323
MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Non-Repetitive Peak reverse voltage
VRM
25
V
Diode reverse voltage
VR
20
V
Average rectified output current
IO
300
mA
Power Dissipation
Pd
100
mW
Junction temperature
Tj
125
Storage temperature range
Tstg
-55 to +125
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Test
conditions
MIN
Typ.
MAX
UNIT
Reverse breakdown voltage
V(BR)R
IR=100μA
20
V
Reverse current
IR
VR=20V
50
μA
Forward voltage
VF
IF=1mA
IF=10mA
IF=300mA
0.16
0.22
0.38
0.45
V
Diode capacitance
CD
VR=0V, f=1MHz
46
pF
PACKAGE OUTLINE
Pb
Lead-free




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