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STP18N60M2 データシート(PDF) 7 Page - STMicroelectronics |
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STP18N60M2 データシート(HTML) 7 Page - STMicroelectronics |
7 / 21 page DocID024735 Rev 2 7/21 STB18N60M2, STP18N60M2, STW18N60M2 Electrical characteristics 21 Figure 8. Static drain-source on-resistance Figure 9. Capacitance variations Figure 10. Normalized gate threshold voltage vs. temperature Figure 11. Normalized on-resistance vs temperature Figure 12. Source-drain diode forward characteristics Figure 13. Normalized V(BR)DSS vs temperature RDS(on) 0.260 0.255 0.250 0.245 0 2 ID(A) ( Ω) 0.265 4 VGS=10V 0.270 6 8 10 12 AM15840v1 C 100 10 1 0.1 10 VDS(V) (pF) 1 100 Ciss Coss Crss 1000 AM15841v1 VGS(th) 0.8 0.7 TJ(°C) (norm) -50 0.9 -25 50 100 0 25 75 125 1.0 1.1 ID=250 µA AM15828v1 RDS(on) 1.3 1.1 0.9 0.7 TJ(°C) (norm) 0.5 -50 -25 0 25 ID=6.5 A 50 75 100 125 1.5 1.7 1.9 2.1 2.3 2.5 VGS=10V AM15829v1 VSD 0 2 ISD(A) (V) 4 0 0.2 0.4 0.6 TJ=-50°C TJ=150°C TJ=25°C 0.8 6 1 1.2 1.4 8 10 12 AM15842v1 V(BR)DSS 0.99 0.97 0.95 0.93 TJ(°C) (norm) -50 1.01 ID=1mA -25 50 100 1.03 0 25 75 125 1.05 1.07 1.09 1.11 AM15831v1 |
同様の部品番号 - STP18N60M2 |
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同様の説明 - STP18N60M2 |
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