データシートサーチシステム |
|
SI7356DP データシート(PDF) 4 Page - Vishay Siliconix |
|
SI7356DP データシート(HTML) 4 Page - Vishay Siliconix |
4 / 5 page Si7356DP Vishay Siliconix New Product www.vishay.com 4 Document Number: 72222 S-32039—Rev. B, 13-Oct-03 TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED) -1.0 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 -0.0 0.2 0.4 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 250 mA Threshold Voltage TJ - Temperature (_C) Safe Operating Area, Junction-to-Case VDS - Drain-to-Source Voltage (V) 100 1 0.01 1 10 100 0.01 10 1 s 0.1 TC = 25_C Single Pulse 10 ms 100 ms dc 0.1 10 Limited by rDS(on) 10 s 1 ms 0 120 200 40 80 Single Pulse Power Time (sec) 160 110 0.1 0.01 0.001 10-3 10-2 1 10 600 10-1 10-4 100 2 1 0.1 0.01 0.2 0.1 0.05 0.02 Single Pulse Duty Cycle = 0.5 Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient Square Wave Pulse Duration (sec) 1. Duty Cycle, D = 2. Per Unit Base = RthJA = 50_C/W 3. TJM - TA = PDMZthJA(t) t1 t2 t1 t2 Notes: 4. Surface Mounted PDM |
同様の部品番号 - SI7356DP |
|
同様の説明 - SI7356DP |
|
|
リンク URL |
プライバシーポリシー |
ALLDATASHEET.JP |
ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |