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STGF10H60DF データシート(PDF) 9 Page - STMicroelectronics |
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STGF10H60DF データシート(HTML) 9 Page - STMicroelectronics |
9 / 24 page DocID025111 Rev 2 9/24 STGB10H60DF, STGF10H60DF, STGP10H60DF Electrical characteristics 24 Figure 14. Transfer characteristics Figure 15. Diode VF vs. forward current IC 15 10 5 0 6 7 VGE(V) (A) 10 20 8 9 25 TJ=175°C 30 35 TJ=-40°C TJ=25°C VCE=5V GIPD281020131513FSR VF 2.1 1.7 1.3 0.9 4 IF(A) (V) 8 TJ= 175°C 12 16 20 TJ= 25°C TJ= -40°C GIPD281020131551FSR Figure 16. Normalized VGE(th) vs junction temperature Figure 17. Normalized V(BR)CES vs. junction temperature VGE(th) 1.1 1.0 0.6 -50 TJ(°C) (norm) 0 50 100 150 IC= 1mA VCE= VGE 0.7 0.8 0.9 GIPD281020131600FSR V(BR)CES 1.1 1.0 0.9 -50 TJ(°C) (norm) 0 50 100 150 IC= 2mA GIPD041020131502FSR Figure 18. Capacitance variation Figure 19. Gate charge vs. gate-emitter voltage C 10 VCE(V) (pF) 0.1 1 10 Cies 100 1000 Coes Cres GIPD281020131602FSR VGE 8 0 Qg(nC) (V) 020 IC= 10A IGE= 1mA VCC= 480V 4 40 12 60 16 GIPD281020131606FSR |
同様の部品番号 - STGF10H60DF |
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同様の説明 - STGF10H60DF |
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