データシートサーチシステム |
|
BAS16VV データシート(PDF) 6 Page - NXP Semiconductors |
|
BAS16VV データシート(HTML) 6 Page - NXP Semiconductors |
6 / 12 page 9397 750 13856 © Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved. Product data sheet Rev. 02 — 10 September 2004 6 of 12 Philips Semiconductors BAS16VV; BAS16VY Triple high-speed switching diodes 8. Test information Input signal: Reverse pulse rise time tr = 0.6 ns; reverse voltage pulse duration tp = 100 ns; duty factor δ≤ 0.05. Oscilloscope: Rise time tr = 0.35 ns. (1) IR = 1 mA. Fig 5. Reverse recovery voltage test circuit and waveforms. trr (1) + IF t output signal tr tp t 10 % 90 % VR input signal V = VR + IF × RS RS = 50 Ω IF D.U.T. Ri = 50 Ω SAMPLING OSCILLOSCOPE mga881 Input signal: Forward pulse rise time tr = 20 ns; forward current pulse duration tp ≥ 100 ns; duty factor δ≤ 0.005. Fig 6. Forward recovery voltage test circuit and waveforms. tr t tp 10 % 90 % I input signal RS = 50 Ω I Ri = 50 Ω OSCILLOSCOPE 1 k Ω 450 Ω D.U.T. mga882 Vfr t output signal V |
同様の部品番号 - BAS16VV |
|
同様の説明 - BAS16VV |
|
|
リンク URL |
プライバシーポリシー |
ALLDATASHEET.JP |
ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |