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2SJ632 データシート(PDF) 1 Page - Sanyo Semicon Device |
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1 / 4 page 2SJ632 No.7420-1/4 2SJ632 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ unit ドレイン・ソース電圧 VDSS −60 V ゲート・ソース電圧 VGSS ±20 V ドレイン電流(DC) ID −2 A ドレイン電流(パルス) IDP PW ≦ 10 µs, duty cycle ≦ 1% − 8 A 許容損失 PD セラミック基板(250mm2 × 0.8mm)装着時 1.5 W Tc=25℃ 3.5 W チャネル温度 Tch 150 ℃ 保存周囲温度 Tstg − 55 ∼+ 150 ℃ 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ min typ max unit ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS ID= − 1mA, VGS=0 − 60 V ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS VDS= − 60V, VGS=0 − 1 µA ゲート・ソースもれ電流 IGSS VGS= ± 16V, VDS=0 ± 10 µA ゲート・ソースしゃ断電圧 VGS(off) VDS= − 10V, ID= − 1mA − 1.2 − 2.6 V 順伝達アドミタンス yfs VDS= − 10V, ID= − 1A 1.6 2.4 S ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on)1 ID= − 1A, VGS= − 10V 275 360 m Ω RDS(on)2 ID= − 1A, VGS= − 4V 400 560 m Ω 入力容量 Ciss VDS= − 20V, f=1MHz 365 pF 出力容量 Coss VDS= − 20V, f=1MHz 39 pF 帰還容量 Crss VDS= − 20V, f=1MHz 30 pF 次ページへ続く。 単体品名表示:GA N7420 注文コード No. N7420 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 32603 32603 TS IM ◎佐藤 TA-3954 No. 新 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を 要する用途(生命維持装置、航空機のコント ロールシステム等、多大な人的・物的損害 を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様に はなっておりません。そのような場合には、 あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下 さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲 等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果 発生した機器の欠陥について、弊社は責任 を負いません。 1 : Gate 2 : Drain 3 : Source SANYO : PCP 外形図 2062A (unit : mm) 4.5 1.6 0.5 0.4 1.5 3.0 1.5 0.4 0.75 3 2 1 (Bottom view) |
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