SDT04S60 datasheet(4/9 Pages) INFINEON

部品番号	SDT04S60

部品情報	Silicon Carbide Schottky Diode

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メーカー	INFINEON [Infineon Technologies AG]

ホームページ	http://www.infineon.com

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2004-02-11

Page 4

SDP04S60, SDD04S60

SDT04S60

Final data

1 Power dissipation

Ptot = f (TC)

0

20

40

60

80

100 120 140

°C 180

TC

0

5

10

15

20

25

30

W

40

2 Diode forward current

IF= f (TC)

parameter: Tj≤175 °C

0

20

40

60

80

100 120 140

°C 180

TC

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

A

4.5

4 Typ. forward power dissipation vs.

average forward current

PF(AV)=f(IF) TC=100°C, d = tp/T

0

1

2

3

4

5

A

7

IF(AV)

0

2

4

6

8

10

12

14

W

18

d=0.1

d=0.2

d=0.5

d=1

3 Typ. forward characteristic

IF = f (VF)

parameter: Tj , tp = 350 µs

0

0.5

1

1.5

2

2.5

V

3.5

VF

0

1

2

3

4

5

6

A

8

-40°C

25°C

100°C

125°C

150°C

同様の部品番号 - SDT04S60

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Infineon Technologies A...	SDT04S60	800Kb / 10P	Silicon Carbide Schottky Diode Rev. 2.5 2008-06-02

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Cree, Inc	E4D20120G	2Mb / 6P	Silicon Carbide Schottky Diode Silicon Carbide Schottky Diode
Infineon Technologies A...	SIDC19D60SIC3	54Kb / 4P	Silicon Carbide Schottky Diode 22.04.2004
Infineon Technologies A...	SDP20S30	216Kb / 8P	Silicon Carbide Schottky Diode 2001-09-07
Pan Jit International I...	SIC04A065ND	575Kb / 5P	SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
Infineon Technologies A...	IDH08G120C5	879Kb / 10P	Silicon Carbide Schottky Diode Rev. 2.0 2015-07-22
Infineon Technologies A...	IDH10G120C5	886Kb / 10P	Silicon Carbide Schottky Diode Rev. 2.0 2015-07-22
Pan Jit International I...	SIC06A065D	426Kb / 5P	SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
Pan Jit International I...	SIC06A065S	411Kb / 5P	SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
Cree, Inc	C3D16065A	850Kb / 6P	Silicon Carbide Schottky Diode
Cree, Inc	C3D30065D	922Kb / 6P	Silicon Carbide Schottky Diode