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BU406 データシート(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
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BU406 データシート(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
2 / 5 page R BU406 版本:201206A 2/5 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 注 :pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。 Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle < 10%. 电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 最小值 Value(min) 最大值 Value(max) 单 位 Unit 结到管壳的热阻 TO-220C Thermal Resistance Junction Case TO-220C Rth(j-c) - 2.08 /W ℃ 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit 集电极 —发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage(VBE=0) VCES 400 V 集电极 —发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage(IB=0) VCEO 200 V 发射极 —基极直流电压 Emitter-Base Voltage VEBO 9 V 最大集电极直流电流 Collector Current(DC) IC 7 A 最大集电极脉冲电流 Collector Current(pulse) ICP 10 A 最大基极直流电流 Base Current(DC) IB 4 A 最大基极脉冲电流 Base Current(pulse) IBP 8 A 最大集电极耗散功率 Total Dissipation (TO-220C) PC 60 W 最高结温 Junction Temperature Tj 150 ℃ 贮存温度 Storage Temperature Tstg -55~+150 ℃ 项 目 Parameter 测试条件 Tests conditions 最小值 Value(min) 典型值 Value(typ) 最大值 Value(max) 单位 Unit V(BR)CEO IC=10mA,IB=0 200 - - V V(BR)CBO IC=1mA,IB=0 400 - - V V(BR)EBO IE=1mA,IC=0 9 - - V ICBO VCB=400V, IE=0 - - 10 μA ICEO VCE=200V,IB=0 - - 50 μA IEBO VEB=9V, IC=0 - - 10 μA Hfe(1) VCE =5V, IC=2A 60 - 85 Hfe(2) VCE =5V, IC=7A 15 - - VCE(sat) IC=5A, IB=500mA - - 1.0 V VBE(sat) IC=5A, IB=500mA - - 1.5 V fT VCE=10V, IC=0.5A 10 - - MHz |
同様の部品番号 - BU406 |
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同様の説明 - BU406 |
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